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STB11NM60T4备选型号: STB14NK50ZT4
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 终端
- 附加功能
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAKNRND (Last Updated: 7 months ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON11A Tc-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™e3不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99450MOhmMatte Tin (Sn) - annealed600V鸥翼24511A30STB11N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET160W20 nsN-ChannelSWITCHING450m Ω @ 5.5A, 10V5V @ 250μA1000pF @ 25V30nC @ 10V20ns650V±30V11 ns11A4V30V600V44A4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------- MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON14A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH™e3活跃1 (Unlimited)2EAR99380MOhmMatte Tin (Sn) - annealed500V鸥翼24514A30STB14N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET150W24 nsN-ChannelSWITCHING380m Ω @ 6A, 10V4.5V @ 100μA2000pF @ 25V92nC @ 10V16ns-±30V12 ns6A3.75V30V500V48A4.6mm10.4mm9.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅12 WeeksSMD/SMT雪崩 额定500V400 mJ3.75 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB14NK60ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK | 对比 |
| STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK | 对比 |
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