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STB120NF10T4备选型号: IRF8010STRLPBF

STB120NF10T4

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
12 Weeks
Tin
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
13.607771g
SILICON
110A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
STripFET™ II
e3
活跃
1 (Unlimited)
2
SMD/SMT
EAR99
10.5mOhm
100V
鸥翼
245
120A
30
STB120N
4
R-PSSO-G2
Single
增强型MOSFET
312W
DRAIN
25 ns
N-Channel
SWITCHING
10.5m Ω @ 60A, 10V
4V @ 250μA
5200pF @ 25V
233nC @ 10V
90ns
±20V
68 ns
110A
4V
20V
100V
480A
100V
550 mJ
4 V
4.6mm
10.4mm
9.35mm
无SVHC
无
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
IRF8010STRLPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

-
12 Weeks
Tin
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
-
SILICON
80A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
HEXFET®
e3
活跃
1 (Unlimited)
2
SMD/SMT
EAR99
15mOhm
100V
鸥翼
260
80A
30
-
-
R-PSSO-G2
Single
增强型MOSFET
260W
DRAIN
15 ns
N-Channel
SWITCHING
15m Ω @ 45A, 10V
4V @ 250μA
3830pF @ 25V
120nC @ 10V
130ns
±20V
120 ns
80A
4V
20V
100V
-
100V
-
4 V
4.826mm
10.668mm
9.65mm
无SVHC
无
ROHS3 Compliant
无铅
2003
75A
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