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STB120NF10T4备选型号: STB140NF75T4
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB313.607771gSILICON110A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR9910.5mOhm100V鸥翼245120A30STB120N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET312WDRAIN25 nsN-ChannelSWITCHING10.5m Ω @ 60A, 10V4V @ 250μA5200pF @ 25V233nC @ 10V90ns±20V68 ns110A4V20V100V480A100V550 mJ4 V4.6mm10.4mm9.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-- MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-SILICON120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIIe3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR997.5mOhm75V鸥翼245120A30STB140N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET310WDRAIN30 nsN-ChannelSWITCHING7.5m Ω @ 70A, 10V4V @ 250μA5000pF @ 25V218nC @ 10V140ns±20V90 ns120A4V20V75V480A75V750 mJ4 V4.6mm10.4mm9.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅雪崩 额定
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 对比 |
 | IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | INFINEON IRFS4410TRLPBF MOSFET Transistor, N Channel, 88 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 VNew | 对比 |
| IRFS4410ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK | 对比 |
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