STB14NM65N备选型号: STB19NM65N

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 接通延迟时间
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-Channel 650V 0.33 Ohms 12A
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    12A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    245
    not_compliant
    未说明
    STB14N
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 6A, 10V
    4V @ 250μA
    1300pF @ 50V
    45nC @ 10V
    13ns
    ±25V
    20 ns
    12A
    25V
    650V
    48A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    15.5A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ II
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    STB19N
    4
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    N-Channel
    SWITCHING
    270m Ω @ 7.75A, 10V
    4V @ 250μA
    1900pF @ 50V
    55nC @ 10V
    8ns
    ±25V
    26 ns
    15.5A
    25V
    650V
    62A
    ROHS3 Compliant
    25 ns
    0.27Ohm
    400 mJ
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