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STB150NF55T4备选型号: IRF2805SPBF
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- 安装类型
- 包装/外壳
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- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB34.535924gSILICON120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR996mOhmMatte Tin (Sn) - annealed55V鸥翼245120A30STB150N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET300WDRAIN35 nsN-ChannelSWITCHING6m Ω @ 60A, 10V4V @ 250μA4400pF @ 25V190nC @ 10V180ns±20V80 ns60A4V20V55V480A55V850 mJ4 V6.35mm6.35mm6.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3--135A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®-Discontinued1 (Unlimited)--EAR994.7mOhm-55V--135A----Single-200W-14 nsN-Channel-4.7m Ω @ 104A, 10V4V @ 250μA5110pF @ 25V230nC @ 10V120ns±20V110 ns135A4V20V55V-55V-4 V4.826mm10.668mm9.652mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅2002- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF1405ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK | 对比 |
| AUIRF1405ZSTRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK | 对比 |
| IRF2805SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK | 对比 |
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