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STB15N65M5备选型号: STB12NM50ND
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- 安装类型
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 端子位置
- 配置
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON15V @ 250μAMDmesh™ VTape & Reel (TR)150°C TJe3ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)1 (Unlimited)2EAR99340MOhmMatte Tin (Sn) - annealed鸥翼24530STB15NR-PSSO-G2Single增强型MOSFET85WDRAIN30 nsN-ChannelSWITCHING340m Ω @ 5.5A, 10V810pF @ 100V22nC @ 10V±25V11A25V650V44A9.35mm10.4mm4.6mmROHS3 Compliant无无铅----- MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON11A Tc5V @ 250μAFDmesh™ IITape & Reel (TR)150°C TJe3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99290mOhmMatte Tin (Sn) - annealed鸥翼245-STB12NR-PSSO-G2-增强型MOSFET100WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING380m Ω @ 5.5A, 10V850pF @ 50V30nC @ 10V±25V11A25V500V44A---ROHS3 Compliant无无铅SINGLESINGLE15ns17 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB16N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch MDMesh V 650V 0.270 Ohm 12A D2PAK | 对比 |
| STB12NM50ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | 对比 |
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