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STB16N65M5备选型号: STB13NM60N
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 包装
- 系列
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 宽度
- 长度
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 漏源电压 (Vdss)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-Ch MDMesh V 650V 0.270 Ohm 12A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON90W TcDigi-Reel®MDmesh™ V150°C TJe3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99279mOhmMatte Tin (Sn) - annealedULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼245STB16N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET90WDRAIN25 nsN-ChannelSWITCHING299m Ω @ 6A, 10V5V @ 250μA1250pF @ 100V31nC @ 10V7ns±25V8 ns12A4V25V650V48A200 mJ10.4mm10.75mm4.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON11A TcTape & Reel (TR)MDmesh™ II150°C TJe3-活跃1 (Unlimited)2EAR99360mOhmMatte Tin (Sn) - annealed-鸥翼245STB13N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET90W-3 nsN-ChannelSWITCHING360m Ω @ 5.5A, 10V4V @ 250μA790pF @ 50V30nC @ 10V8ns±25V10 ns11A3V25V-44A200 mJ10.4mm10.75mm4.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅NRND (Last Updated: 7 months ago)26 Weeks30600V600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB13NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| STB11NM60T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK | 对比 |
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