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首页 全部分类 STB16NF06LT4 vs IRLZ24NSTRLPBF

STB16NF06LT4备选型号: IRLZ24NSTRLPBF

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  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
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  • 已出版
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • STMicroelectronics
    STB16NF06LT4
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    12 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    20 ns
    STripFET™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    90MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    60V
    鸥翼
    245
    16A
    30
    STB16N
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 8A, 10V
    1V @ 250μA (Min)
    345pF @ 25V
    10nC @ 4.5V
    37ns
    ±16V
    12.5 ns
    16A
    1V
    16V
    60V
    64A
    60V
    4 V
    10.4mm
    10.75mm
    4.6mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLZ24NSTRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.06Ohm; ID 18A; D2Pak; PD 45W; VGS /-16V; Qg 15
    12 Weeks
    -
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    18A Tc
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    60mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    55V
    鸥翼
    260
    17A
    30
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    DRAIN
    7.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 11A, 10V
    2V @ 250μA
    480pF @ 25V
    15nC @ 5V
    74ns
    ±16V
    29 ns
    18A
    -
    16V
    55V
    72A
    55V
    2 V
    9.65mm
    10.668mm
    4.699mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    Contains Lead, Lead Free
    1996
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    60 ns
    68 mJ
    90 ns
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