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STB16NF06LT4备选型号: NTB18N06G
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 已出版
- 资历状况
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R12 WeeksACTIVE (Last Updated: 7 months ago)TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON20 nsSTripFET™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR9990MOhmMatte Tin (Sn) - annealed60V鸥翼24516A30STB16N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET45WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING90m Ω @ 8A, 10V1V @ 250μA (Min)345pF @ 25V10nC @ 4.5V37ns±16V12.5 ns16A1V16V60V64A60V4 V10.4mm10.75mm4.6mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅----
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK--TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON15A Tc-Tube-55°C~175°C TJe3Obsolete1 (Unlimited)2-EAR99-Tin (Sn)60V鸥翼26015A未说明-3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET48.4WDRAIN-N-ChannelSWITCHING90m Ω @ 7.5A, 10V4V @ 250μA450pF @ 25V22nC @ 10V25ns±20V13 ns15A-20V60V45A-----符合RoHS标准--无铅2005不合格0.09Ohm61 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ24NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK | 对比 |
| NTB18N06T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK | 对比 |
| NTB18N06G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK | 对比 |
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