STB170NF04备选型号: IPB80N04S4L04ATMA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- MOSFET N-CH 40V 80A D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ II活跃1 (Unlimited)175°C-55°CSTB170NSingle300W26 nsN-Channel5mOhm @ 40A, 10V4V @ 250μA9000pF @ 25V170nC @ 10V57ns40V±20V66 ns80A20V40V9nF5mOhm5 mΩ无ROHS3 Compliant-------------------
- Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263-16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™活跃1 (Unlimited)-----7 nsN-Channel4m Ω @ 80A, 10V2.2V @ 35μA4690pF @ 25V60nC @ 10V12ns-+20V, -16V31 ns80A20V-----ROHS3 CompliantSILICON2010e32EAR99Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET无卤素40V0.004Ohm100 mJ含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB80N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 | 对比 |
![]() | FDB8442-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | AUIRF1404S | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 202A D2PAK | 对比 |





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