STB170NF04备选型号: IPB80N04S4L04ATMA1

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    STB170N
    Single
    300W
    26 ns
    N-Channel
    5mOhm @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    9000pF @ 25V
    170nC @ 10V
    57ns
    40V
    ±20V
    66 ns
    80A
    20V
    40V
    9nF
    5mOhm
    5 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    7 ns
    N-Channel
    4m Ω @ 80A, 10V
    2.2V @ 35μA
    4690pF @ 25V
    60nC @ 10V
    12ns
    -
    +20V, -16V
    31 ns
    80A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2010
    e3
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    无卤素
    40V
    0.004Ohm
    100 mJ
    含铅
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