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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥31.424305
10
¥29.645571
100
¥27.967521
500
¥26.38445
1000
¥24.890992
STMicroelectronics STB170NF04
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- 对比
STB170NF04
2381-STB170NF04
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STB170NF04详情
STMicroelectronics STB170NF04重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Turn Off Delay Time
100 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ II
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
基本部件号
STB170N
元素配置
Single
功率耗散
300W
接通延迟时间
26 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5mOhm @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
170nC @ 10V
上升时间
57ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
66 ns
连续放电电流(ID)
80A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
输入电容
9nF
漏源电阻
5mOhm
最大rds
5 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STB170NF04拓展信息
STMicroelectronics
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