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首页 全部分类 STB18NF25 vs STB55NF06T4

STB18NF25备选型号: STB55NF06T4

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STB18NF25
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    165MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    245
    30
    STB18N
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    8.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    165m Ω @ 8.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1000pF @ 25V
    29.5nC @ 10V
    17.2ns
    ±20V
    8.8 ns
    17A
    20V
    250V
    68A
    54 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB55NF06T4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    18mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    245
    30
    STB55N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    -
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 27.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1300pF @ 25V
    60nC @ 10V
    50ns
    ±20V
    15 ns
    27.5A
    20V
    60V
    200A
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    60V
    50A
    3V
    4.6mm
    10.4mm
    9.35mm
    无SVHC
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