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首页 全部分类 STB18NF30 vs FQB25N33TM

STB18NF30备选型号: FQB25N33TM

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  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STB18NF30
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    18A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    180MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    245
    30
    STB18N
    150W
    N-Channel
    180m Ω @ 9A, 10V
    4V @ 250μA
    1650pF @ 25V
    44nC @ 10V
    ±20V
    18A
    20V
    330V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQB25N33TM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    25A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    245
    30
    -
    3.1W
    N-Channel
    230m Ω @ 12.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2010pF @ 25V
    75nC @ 15V
    ±30V
    25A
    30V
    330V
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    SILICON
    2006
    2
    8541.29.00.95
    330V
    鸥翼
    25A
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    100ns
    70 ns
    100A
    370 mJ
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IPB17N25S3100ATMA1 IPB17N25S3100ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R 对比