Infineon Technologies IPB17N25S3100ATMA1
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IPB17N25S3100ATMA1
1211-IPB17N25S3100ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R
--最小包装量--
IPB17N25S3100ATMA1详情
Infineon Technologies IPB17N25S3100ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO263-3-2
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
17A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
107W Tc
Turn Off Delay Time
7.5 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
107W
接通延迟时间
4.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
100mOhm @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 54μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1500pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19nC @ 10V
上升时间
3.7ns
漏源电压 (Vdss)
250V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
1.2 ns
连续放电电流(ID)
17A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
250V
漏源击穿电压
250V
输入电容
1.133nF
最大结点温度(Tj)
175°C
漏源电阻
85mOhm
最大rds
100 mΩ
高度
4.7mm
长度
10mm
宽度
9.25mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPB17N25S3100ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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