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STB18NM60ND备选型号: IPB60R299CPAATMA1
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 功率耗散
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON13A Tc150°C TJCut Tape (CT)FDmesh™ II活跃1 (Unlimited)2EAR99290mOhm鸥翼STB18NR-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAIN55 nsN-ChannelSWITCHING290m Ω @ 6.5A, 10V5V @ 250μA1030pF @ 50V34nC @ 10V15.5ns600V±25V18 ns13A25V52A600V187 mJ4.4mm10mm8.95mm无ROHS3 Compliant无铅---------------
Trans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON11A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™活跃1 (Unlimited)2--鸥翼-R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING299m Ω @ 6.6A, 10V3.5V @ 440μA1100pF @ 100V29nC @ 10V5ns-±20V-11A20V34A-290 mJ----ROHS3 Compliant含铅18 Weeks2009e3noTin (Sn)未说明not_compliant未说明4不合格96W无卤素600V0.299Ohm600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R280C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB60R299CPAATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
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