我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
STB20N95K5备选型号: STB25N80K5
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 元素配置
- 漏源电压 (Vdss)
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON17.5A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)SuperMESH5™e3活跃1 (Unlimited)2EAR99330MOhmMatte Tin (Sn)SINGLE鸥翼245STB20NR-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET250WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING330m Ω @ 9A, 10V5V @ 100μA1500pF @ 100V40nC @ 10V12ns±30V20 ns17.5A30V950V70A200 mJ无ROHS3 Compliant无铅------
MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON19.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH5™e3活跃1 (Unlimited)2EAR99260mOhmMatte Tin (Sn) - annealed-鸥翼-STB25NR-PSSO-G2-增强型MOSFET250WDRAIN25 nsN-ChannelSWITCHING260m Ω @ 19.5A, 10V5V @ 100μA1600pF @ 100V40nC @ 10V-±30V-19.5A30V-78A200 mJ无ROHS3 Compliant无铅Single800V800V4.4mm10mm8.95mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB21N90K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| STB25N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK | 对比 |
| STB18NM80 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK | 对比 |
哦! 它是空的。