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STB23N80K5备选型号: STB24N65M2
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 800V 16AACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB16A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ K5e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明not_compliant未说明STB23NN-Channel280m Ω @ 8A, 10V5V @ 100μA1000pF @ 100V33nC @ 10V800V±30V16AROHS3 Compliant无铅--------------
MOSFET N-CH 650V 16A D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB16A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ M2-活跃1 (Unlimited)EAR99-未说明-未说明STB24NN-Channel230m Ω @ 8A, 10V4V @ 250μA1060pF @ 100V29nC @ 10V650V±25V16AROHS3 Compliant无铅26 WeeksSILICON2SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.23Ohm64A650V650 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB24N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK | 对比 |
 | FCB290N80 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK | 对比 |
| STB24N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK | 对比 |
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