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首页 全部分类 STB24N60DM2 vs IPB60R190P6ATMA1

STB24N60DM2备选型号: IPB60R190P6ATMA1

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  • 箱体转运
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  • 已出版
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  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STB24N60DM2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    FDmesh™ II Plus
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    STB24N
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    200m Ω @ 9A, 10V
    5V @ 250μA
    1055pF @ 100V
    29nC @ 10V
    600V
    ±25V
    18A
    0.2Ohm
    72A
    600V
    180 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB60R190P6ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO263-3
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    20.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    CoolMOS™ P6
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 7.6A, 10V
    4.5V @ 630μA
    1750pF @ 100V
    37nC @ 10V
    -
    ±20V
    20.2A
    0.19Ohm
    57A
    -
    419 mJ
    符合RoHS标准
    2008
    yes
    无卤素
    600V
    含铅
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IPB60R190P6ATMA1 IPB60R190P6ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 600V TO263-3 对比