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首页 全部分类 STB24N60DM2 vs STB28N60M2

STB24N60DM2备选型号: STB28N60M2

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STB24N60DM2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    FDmesh™ II Plus
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    STB24N
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    200m Ω @ 9A, 10V
    5V @ 250μA
    1055pF @ 100V
    29nC @ 10V
    600V
    ±25V
    18A
    0.2Ohm
    72A
    600V
    180 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB28N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ II Plus
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    -
    STB28N
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 11A, 10V
    4V @ 250μA
    1440pF @ 100V
    36nC @ 10V
    -
    ±25V
    22A
    -
    88A
    -
    350 mJ
    ROHS3 Compliant
    Tin
    3.949996g
    1
    Single
    14.5 ns
    7.2ns
    8 ns
    25V
    600V
    无铅
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IPB60R190P6ATMA1 IPB60R190P6ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 600V TO263-3 对比