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STB24NM60N备选型号: STB22NM60N
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh IIACTIVE (Last Updated: 8 months ago)26 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON17A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ II活跃1 (Unlimited)2EAR99190MOhm鸥翼STB24N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET125W11.5 nsN-ChannelSWITCHING190m Ω @ 8A, 10V4V @ 250μA1400pF @ 50V46nC @ 10V16.5ns±30V37 ns17A3V30V600V68A4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------ MOSFET N-CH 600V 16A D2PAKNRND (Last Updated: 8 months ago)--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON16A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ II活跃1 (Unlimited)2EAR99220mOhm鸥翼STB22N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET125W11 nsN-ChannelSWITCHING220m Ω @ 8A, 10V4V @ 100μA1300pF @ 50V44nC @ 10V-±30V38 ns16A3V30V600V64A4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅e3Matte Tin (Sn) - annealed雪崩 额定24530
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB26NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | 对比 |
| STB23NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK | 对比 |
| STB22NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK | 对比 |
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