STB26NM60N备选型号: STB23NM50N
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 制造商包装标识符
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 600V 20A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICOND2PAK-007945720A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ IIe3活跃1 (Unlimited)2EAR99165MOhmMatte Tin (Sn) - annealed鸥翼24530STB26N4R-PSSO-G21Single增强型MOSFET140W13 nsN-ChannelSWITCHING165m Ω @ 10A, 10V4V @ 250μA1800pF @ 50V60nC @ 10V25ns±30V50 ns20A2V30V600V80A150°C4.83mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-
- MOSFET N-CH 500V 17A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON-17A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ IIe3活跃1 (Unlimited)2EAR99190mOhmMatte Tin (Sn) - annealed鸥翼24530STB23N4R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET125W6.6 nsN-ChannelSWITCHING190m Ω @ 8.5A, 10V4V @ 250μA1330pF @ 50V45nC @ 10V19ns±25V29 ns17A3V25V500V68A-4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅254 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STB23NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK | 对比 |
![]() | STB21NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK | 对比 |




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