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首页 全部分类 STB270N4F3 vs IRLS3034TRLPBF

STB270N4F3备选型号: IRLS3034TRLPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 已出版
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    STB270N4F3
    STMicroelectronics
    MOSFET Transistor, N Channel, 160 A, 40 V, 2.5 mohm, 10 V, 4 V
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    10V
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    2MOhm
    Matte Tin (Sn)
    鸥翼
    245
    30
    STB270N
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    330W
    DRAIN
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    7400pF @ 25V
    150nC @ 10V
    180ns
    ±20V
    45 ns
    160A
    20V
    40V
    640A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLS3034TRLPBF
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    鸥翼
    260
    30
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    375W
    DRAIN
    65 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.7m Ω @ 195A, 10V
    2.5V @ 250μA
    10315pF @ 25V
    162nC @ 4.5V
    827ns
    ±20V
    355 ns
    195A
    20V
    40V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    2009
    逻辑电平兼容
    0.0017Ohm
    255 mJ
    4.572mm
    10.668mm
    9.65mm
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