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STB28NM50N备选型号: IPB50R140CPATMA1
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- Reach合规守则
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大双电源电压
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)26 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON21A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ IIe3活跃1 (Unlimited)2EAR99135mOhm鸥翼24530STB28N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET150W13.6 nsN-ChannelSWITCHING158m Ω @ 10.5A, 10V4V @ 250μA1735pF @ 25V50nC @ 10V19ns±25V52 ns21A3V25V500V84A4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----------
Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R---表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON23A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™e3不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼未说明未说明-4R-PSSO-G2-增强型MOSFET192W35 nsN-ChannelSWITCHING140m Ω @ 14A, 10V3.5V @ 930μA2540pF @ 100V64nC @ 10V14ns±20V8 ns23A-20V-56A-----ROHS3 Compliant含铅2007noTin (Sn)SINGLEnot_compliant不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODEDRAIN无卤素550V500V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SPB16N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB50R140CPATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
| STB14NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
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