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首页 全部分类 STB2N62K3 vs STB3N62K3

STB2N62K3备选型号: STB3N62K3

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STB2N62K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 620V 2.2A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    2.2A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH3™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    3.6Ohm
    STB2N
    45W
    8 ns
    N-Channel
    3.6 Ω @ 1.1A, 10V
    4.5V @ 50μA
    340pF @ 50V
    15nC @ 10V
    4.4ns
    ±30V
    22 ns
    2.2A
    30V
    620V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB3N62K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-channel 620V, 2.7A Power MOSFET
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    2.7A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH3™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    2.5Ohm
    STB3N
    45W
    9 ns
    N-Channel
    2.5 Ω @ 1.4A, 10V
    4.5V @ 50μA
    385pF @ 25V
    13nC @ 10V
    6.8ns
    ±30V
    15.6 ns
    2.7A
    30V
    620V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    yes
    2
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    245
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    3.75V
    10.8A
    100 mJ
    4.6mm
    10.75mm
    10.4mm
    无SVHC
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STB3N62K3 STB3N62K3 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-channel 620V, 2.7A Power MOSFET 对比