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首页 全部分类 STB2N62K3 vs STB3NK60ZT4

STB2N62K3备选型号: STB3NK60ZT4

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STB2N62K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 620V 2.2A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    2.2A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH3™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    3.6Ohm
    STB2N
    45W
    8 ns
    N-Channel
    3.6 Ω @ 1.1A, 10V
    4.5V @ 50μA
    340pF @ 50V
    15nC @ 10V
    4.4ns
    ±30V
    22 ns
    2.2A
    30V
    620V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB3NK60ZT4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    2.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    STB3N
    45W
    9 ns
    N-Channel
    3.6 Ω @ 1.2A, 10V
    4.5V @ 50μA
    311pF @ 25V
    11.8nC @ 10V
    14ns
    ±30V
    14 ns
    1.2A
    30V
    600V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    NRND (Last Updated: 7 months ago)
    SILICON
    e3
    2
    Matte Tin (Sn) - annealed
    600V
    鸥翼
    245
    2.4A
    30
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    3.75V
    9.6A
    4.6mm
    10.75mm
    10.4mm
    无SVHC
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STB3N62K3 STB3N62K3 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-channel 620V, 2.7A Power MOSFET 对比