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首页 全部分类 STB30N65M5 vs STB35N65M5

STB30N65M5备选型号: STB35N65M5

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  • 晶体管元件材料
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  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 箱体转运
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STB30N65M5
    STMicroelectronics
    STB30N65M5: 650 V 0.139 Ohm Surface Mount N-Channel Power MOSFET - D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    22A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ V
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    139MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    雪崩能源评级
    鸥翼
    245
    30
    STB30N
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    50 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    139m Ω @ 11A, 10V
    5V @ 250μA
    2880pF @ 100V
    64nC @ 10V
    8ns
    ±25V
    10 ns
    22A
    25V
    650V
    88A
    500 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB35N65M5
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    27A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ V
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    98Ohm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    鸥翼
    245
    30
    STB35N
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    60 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    98m Ω @ 13.5A, 10V
    5V @ 250μA
    3750pF @ 100V
    83nC @ 10V
    12ns
    ±25V
    16 ns
    27A
    25V
    650V
    -
    800 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ISOLATED
    4V
    4.6mm
    10.75mm
    10.4mm
    无SVHC
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