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STB30NM60ND备选型号: STB36NM60N
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 配置
- 接通延迟时间
- 辐射硬化
MOSFET N-channel 600V, 25A FDMesh II表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON25A Tc150°C TJTape & Reel (TR)FDmesh™ IIObsolete1 (Unlimited)2EAR99130MOhm鸥翼STB30N4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET190WN-ChannelSWITCHING130m Ω @ 12.5A, 10V5V @ 250μA2800pF @ 50V100nC @ 10V50ns±25V75 ns12.5A25V25A600V900 mJ4 V无SVHCROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON29A Tc150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II活跃1 (Unlimited)2EAR99105MOhm鸥翼STB36N4R-PSSO-G2--增强型MOSFET210WN-ChannelSWITCHING105m Ω @ 14.5A, 10V4V @ 250μA2722pF @ 100V83.6nC @ 10V34ns±25V67 ns29A25V25A600V---ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)26 Weekse3Matte Tin (Sn) - annealedSINGLE245SINGLE WITH BUILT-IN DIODE17 ns无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB36NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | 对比 |
| STB34NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | 对比 |
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