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STB33N65M2备选型号: STB34N65M5
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- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- Reach合规守则
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 功率耗散
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK26 WeeksACTIVE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON72.5 nsMDmesh™ M2150°C TJCut Tape (CT)活跃1 (Unlimited)2EAR99鸥翼not_compliantSTB33NR-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAIN13.5 nsN-ChannelSWITCHING140m Ω @ 12A, 10V4V @ 250μA1790pF @ 100V41.5nC @ 10V650V±25V24A25V0.14Ohm96A650V780 mJ9.35mm10.4mm4.6mmROHS3 Compliant-------- MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK17 WeeksACTIVE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON28A TcMDmesh™ V150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)2EAR99鸥翼-STB34NR-PSSO-G2Single增强型MOSFET-59 nsN-ChannelSWITCHING110m Ω @ 14A, 10V5V @ 250μA2700pF @ 100V62.5nC @ 10V-±25V28A25V----9.35mm10.4mm4.6mmROHS3 Compliante3110MOhmMatte Tin (Sn) - annealed190W650V无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB30N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STB30N65M5: 650 V 0.139 Ohm Surface Mount N-Channel Power MOSFET - D2PAK | 对比 |
| STB28N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK | 对比 |
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