STMicroelectronics STB33N65M2

工厂交货时间

26 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

72.5 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

190W Tc

系列

MDmesh™ M2

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

基本部件号

STB33N

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

140m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1790pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

41.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±25V

连续放电电流(ID)

24A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.14Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

96A

DS 击穿电压-最小值

650V

雪崩能量等级（Eas）

780 mJ

宽度

9.35mm

长度

10.4mm

高度

4.6mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant