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STB34N65M5备选型号: STB45N65M5
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 制造商包装标识符
- 附加功能
- 通道数量
- 箱体转运
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 最大结点温度（Tj）
MOSFET N-CH 650V 28A D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON28A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ Ve3活跃1 (Unlimited)2EAR99110MOhmMatte Tin (Sn) - annealed鸥翼STB34NR-PSSO-G2Single增强型MOSFET190W59 nsN-ChannelSWITCHING110m Ω @ 14A, 10V5V @ 250μA2700pF @ 100V62.5nC @ 10V±25V28A25V650V4.6mm10.4mm9.35mm无ROHS3 Compliant无铅-------- MOSFET N CH 650V 35A D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON35A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ V-活跃1 (Unlimited)3EAR9978mOhm-THROUGH-HOLESTB45N-Single增强型MOSFET210W11 nsN-ChannelSWITCHING78m Ω @ 19.5A, 10V5V @ 250μA3375pF @ 100V91nC @ 10V±25V35A25V650V4.6mm10.4mm9.35mm无ROHS3 Compliant无铅D2Pak超低电阻1DRAIN4VTO-220AB150°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB38N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK | 对比 |
| STB36NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | 对比 |
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