STMicroelectronics STB36NM60ND
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STB36NM60ND
2381-STB36NM60ND
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
--最小包装量--
STB36NM60ND详情
STMicroelectronics STB36NM60ND重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
26 Weeks
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
3
Power Dissipation (Max)
190W Tc
Turn Off Delay Time
111 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
29A Tc
系列
Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
包装
Cut Tape (CT)
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
110mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STB36N
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
190W
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
110m Ω @ 14.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2785pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80.4nC @ 10V
上升时间
53.4ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
61.8 ns
连续放电电流(ID)
29A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
宽度
9.35mm
长度
10.4mm
高度
4.6mm
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STB36NM60ND拓展信息
STMicroelectronics
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