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STB34NM60ND备选型号: FCB36N60NTM
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 已出版
- 无铅代码
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON29A Tc150°C TJCut Tape (CT)FDmesh™ IIe3活跃1 (Unlimited)2EAR99110MOhmMatte Tin (Sn) - annealedULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼24530STB34N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET190WDRAIN30 nsN-ChannelSWITCHING110m Ω @ 14.5A, 10V5V @ 250μA2785pF @ 50V80.4nC @ 10V53.4ns600V±25V61.8 ns29A4V25V650V4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK4 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-36A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SupreMOS™e3活跃1 (Unlimited)-EAR9990MOhm-----FCB36N60--Single增强型MOSFET312W-23 nsN-Channel-90m Ω @ 18A, 10V4V @ 250μA4785pF @ 100V112nC @ 10V22ns-±30V4 ns36A2V20V600V4.83mm10.67mm11.33mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)Tin1.762g2013yes- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB42N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STB42N65M5 Power MOSFET, N Channel, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| STB38N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK | 对比 |
| STB36NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | 对比 |
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