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STB36NM60N备选型号: STB34NM60ND
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 箱体转运
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON29A Tc150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ IIe3活跃1 (Unlimited)2EAR99105MOhmMatte Tin (Sn) - annealedSINGLE鸥翼245STB36N4R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET210W17 nsN-ChannelSWITCHING105m Ω @ 14.5A, 10V4V @ 250μA2722pF @ 100V83.6nC @ 10V34ns±25V67 ns29A25V25A600V无ROHS3 Compliant无铅----------- MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK-26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON29A Tc150°C TJCut Tape (CT)FDmesh™ IIe3活跃1 (Unlimited)2EAR99110MOhmMatte Tin (Sn) - annealed-鸥翼245STB34N4R-PSSO-G2-增强型MOSFET190W30 nsN-ChannelSWITCHING110m Ω @ 14.5A, 10V5V @ 250μA2785pF @ 50V80.4nC @ 10V53.4ns±25V61.8 ns29A25V-650V无ROHS3 Compliant无铅ULTRA-LOW RESISTANCE30SingleDRAIN600V4V4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB45N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 650V 35A D2PAK | 对比 |
| STB38N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK | 对比 |
| STB34NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | 对比 |
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