您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STB40N60M2 vs FCB070N65S3

STB40N60M2备选型号: FCB070N65S3

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • Reach合规守则
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STB40N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3.949996g
    SILICON
    34A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ II Plus
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    未说明
    未说明
    STB40N
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    20.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    88m Ω @ 17A, 10V
    4V @ 250μA
    2500pF @ 100V
    57nC @ 10V
    13.5ns
    600V
    ±25V
    11 ns
    34A
    25V
    0.088Ohm
    600V
    500 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCB070N65S3
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB070N65S3 Power MOSFET, N Channel, 44 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 4.5 VNew
    13 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    1.31247g
    SILICON
    44A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperFET® III
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    245
    未说明
    -
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    26 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 22A, 10V
    4.5V @ 4.4mA
    3090pF @ 400V
    78nC @ 10V
    -
    -
    ±30V
    -
    44A
    30V
    0.07Ohm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    3
    2016
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
    not_compliant
    312W
    4.5V
    650V
    150°C
    4.83mm
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STB45N50DM2AG STB45N50DM2AG STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 500V 35A 对比
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 对比
STB42N60M2-EP STB42N60M2-EP STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK 对比