STMicroelectronics STB42N60M2-EP
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STB42N60M2-EP
2381-STB42N60M2-EP
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK
--最小包装量--
STB42N60M2-EP详情
STMicroelectronics STB42N60M2-EP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
34A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
250W Tc
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
MDmesh™ M2-EP
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STB42N
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
87m Ω @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.75V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2370pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
55nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±25V
连续放电电流(ID)
34A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STB42N60M2-EP拓展信息
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