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STB45N65M5备选型号: STB35N65M5
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 制造商包装标识符
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 终端形式
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
MOSFET N CH 650V 35A D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICOND2Pak35A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ V活跃1 (Unlimited)3EAR9978mOhm超低电阻THROUGH-HOLESTB45N1Single增强型MOSFET210WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING78m Ω @ 19.5A, 10V5V @ 250μA3375pF @ 100V91nC @ 10V±25V35A4VTO-220AB25V650V150°C4.6mm10.4mm9.35mm无ROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650VACTIVE (Last Updated: 7 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON-27A Tc150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ V活跃1 (Unlimited)2EAR9998Ohm-鸥翼STB35N-Single增强型MOSFET160WISOLATED60 nsN-ChannelSWITCHING98m Ω @ 13.5A, 10V5V @ 250μA3750pF @ 100V83nC @ 10V±25V27A4V-25V650V-4.6mm10.75mm10.4mm无ROHS3 Compliant无铅e3Matte Tin (Sn) - annealed245304R-PSSO-G212ns16 ns800 mJ无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB34N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK | 对比 |
| STB35N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V | 对比 |
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