您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STB55NF06T4 vs FQB50N06LTM

STB55NF06T4备选型号: FQB50N06LTM

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 质量
  • 已出版
  • 无铅代码
  • Reach合规守则
  • 资历状况
  • 箱体转运
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STB55NF06T4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    18mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    60V
    鸥翼
    245
    50A
    30
    STB55N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 27.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1300pF @ 25V
    60nC @ 10V
    50ns
    ±20V
    15 ns
    27.5A
    3V
    20V
    60V
    200A
    4.6mm
    10.4mm
    9.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQB50N06LTM
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    52.4A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    60V
    鸥翼
    未说明
    52.4A
    未说明
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.75W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    21m Ω @ 26.2A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1630pF @ 25V
    32nC @ 5V
    380ns
    ±20V
    145 ns
    52.4A
    2.5V
    20V
    60V
    -
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    1.31247g
    2001
    yes
    not_compliant
    不合格
    DRAIN
    0.025Ohm
    990 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRLPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK 对比
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK 对比
STB60NF06T4 STB60NF06T4 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp 对比