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首页 全部分类 STB5NK52ZD-1 vs STI6N62K3

STB5NK52ZD-1备选型号: STI6N62K3

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  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • DS 击穿电压-最小值
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STB5NK52ZD-1
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    4.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    未说明
    unknown
    未说明
    STB5N
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    70W
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 2.2A, 10V
    4.5V @ 50μA
    529pF @ 25V
    16.9nC @ 10V
    13.6ns
    ±30V
    15 ns
    4.4A
    30V
    520V
    17.6A
    170 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STI6N62K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    5.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH3™
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    ULTRA LOW-ON RESISTANCE
    -
    -
    -
    STI6N
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 2.8A, 10V
    4.5V @ 50μA
    875pF @ 50V
    34nC @ 10V
    12ns
    ±30V
    20 ns
    5.5A
    30V
    -
    22A
    140 mJ
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    22 ns
    620V
    3.75V
    620V
    3.75 V
    10.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    无铅
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STI6N62K3 STI6N62K3 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK 对比