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STB60NF06T4备选型号: IRFZ48NSTRLPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 已出版
- 端子表面处理
- 附加功能
- 箱体转运
- 反向恢复时间
- 恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp12 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装Tin3SILICON43 ns4V @ 250μASTripFET™ IITape & Reel (TR)-65°C~175°C TJe3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR9916mOhm60V鸥翼24560A30STB60NR-PSSO-G2Single增强型MOSFET110W16 nsN-ChannelSWITCHING16m Ω @ 30A, 10V1810pF @ 25V66nC @ 10V108ns±20V20 ns60A3V20V60V240A60V3 VROHS3 Compliant无无SVHC无铅---------
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK12 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装-3SILICON64A Tc4V @ 250μAHEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR9914MOhm55V鸥翼26064A30-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET130W12 nsN-ChannelSWITCHING14m Ω @ 32A, 10V1970pF @ 25V81nC @ 10V78ns±20V50 ns64A4V20V55V-55V4 VROHS3 Compliant无无SVHCContains Lead, Lead Free2001Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITYDRAIN100 ns100 ns4.826mm10.668mm9.65mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ44ESTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK | 对比 |
| STB55NF06T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | 对比 |
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