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STB60NF06T4备选型号: STB55NF06T4
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 AmpACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON60A Tc-65°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR9916mOhm60V鸥翼24560A30STB60N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET110W16 nsN-ChannelSWITCHING16m Ω @ 30A, 10V4V @ 250μA1810pF @ 25V66nC @ 10V108ns±20V20 ns60A3V20V60V240A60V3 V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----- MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON50A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3活跃1 (Unlimited)2-EAR9918mOhm60V鸥翼24550A30STB55N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET110W20 nsN-ChannelSWITCHING18m Ω @ 27.5A, 10V4V @ 250μA1300pF @ 25V60nC @ 10V50ns±20V15 ns27.5A3V20V60V200A--无SVHC无ROHS3 Compliant无铅Matte Tin (Sn) - annealed4.6mm10.4mm9.35mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFZ44ESTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK | 对比 |
| STB55NF06T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | 对比 |
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