STB60NF10-1备选型号: IPP70N10SL16AKSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 已出版
- 附加功能
- 端子位置
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 接通延迟时间
- 无卤素
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 无铅
- MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTubeSTripFET™ IIe3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99哑光锡225未说明STB60N3不合格Single增强型MOSFET300WDRAINN-ChannelSWITCHING23m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA4270pF @ 25V104nC @ 10V56ns±20V23 ns80A20V100V485 mJROHS3 Compliant-------------
- Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-220通孔通孔TO-220-3-SILICON70A Tc-55°C~175°C TJTubeSIPMOS®e3最后一次购买1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)未说明未说明----增强型MOSFET250WDRAINN-Channel-16m Ω @ 50A, 10V2V @ 2mA4540pF @ 25V240nC @ 10V250ns±20V-70A20V-700 mJROHS3 Compliant2006AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLESINGLEnot_compliantR-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE70 ns无卤素TO-220AB100V0.025Ohm280A含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPI100N10S305AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-262 | 对比 |
![]() | IPP70N10SL16AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-220 | 对比 |
![]() | STI76NF75 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK | 对比 |





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