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STB6NK60Z-1备选型号: FQI7N60TU
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 质量
- 已出版
- 无铅代码
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- Vgs（最大值）
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N-CH 600V 6A I2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON6A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperMESH™e3不用于新设计1 (Unlimited)3EAR991.2OhmTin (Sn)STB6N3Single增强型MOSFET110W14 nsN-ChannelSWITCHING1.2 Ω @ 3A, 10V4.5V @ 100μA905pF @ 25V46nC @ 10V14ns19 ns6A30V6A600V24A210 mJ无ROHS3 Compliant无铅-------------
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAKACTIVE (Last Updated: 1 week ago)通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA-SILICON7.4A Tc-55°C~150°C TJTubeQFET®e3活跃1 (Unlimited)3EAR99-Tin (Sn)--Single增强型MOSFET3.13W30 nsN-ChannelSWITCHING1 Ω @ 3.7A, 10V5V @ 250μA1430pF @ 25V38nC @ 10V80ns60 ns7.4A30V-600V29.6A580 mJ-ROHS3 Compliant无铅5 Weeks2.084g2014yes600V未说明not_compliant7.4A未说明R-PSIP-T3不合格±30V1Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQI8N60CTU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series | 对比 |
| STI6N62K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK | 对比 |
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