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STB6NK60Z-1备选型号: STI6N62K3
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 附加功能
- 端子位置
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 阈值电压
- DS 击穿电压-最小值
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 600V 6A I2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON6A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperMESH™e3不用于新设计1 (Unlimited)3EAR991.2OhmTin (Sn)STB6N3Single增强型MOSFET110W14 nsN-ChannelSWITCHING1.2 Ω @ 3A, 10V4.5V @ 100μA905pF @ 25V46nC @ 10V14ns19 ns6A30V6A600V24A210 mJ无ROHS3 Compliant无铅-------------- MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON5.5A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperMESH3™e3活跃1 (Unlimited)3EAR99-Tin (Sn)STI6N3-增强型MOSFET-22 nsN-ChannelSWITCHING1.2 Ω @ 2.8A, 10V4.5V @ 50μA875pF @ 50V34nC @ 10V12ns20 ns5.5A30V--22A140 mJ无ROHS3 Compliant无铅12 WeeksULTRA LOW-ON RESISTANCESINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE620V±30V3.75V620V3.75 V10.75mm10.4mm4.6mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQI8N60CTU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series | 对比 |
| STI6N62K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK | 对比 |
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