STB75NF75LT4备选型号: IRFS3607TRLPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 资历状况
- 漏极-源极导通最大电阻
- Trans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3活跃1 (Unlimited)2EAR9911mOhmMatte Tin (Sn) - annealed低阈值75V鸥翼24575A30STB75N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET300WDRAIN35 nsN-ChannelSWITCHING11m Ω @ 37.5A, 10V2.5V @ 250μA4300pF @ 25V90nC @ 5V155ns±15V60 ns75A2.5V15V75V680 mJ4.6mm10.4mm9.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---
- MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3活跃1 (Unlimited)2EAR99-Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier--鸥翼260-30--R-PSSO-G2Single增强型MOSFET140WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 46A, 10V4V @ 100μA3070pF @ 50V84nC @ 10V110ns±20V96 ns80A-20V75V-4.826mm10.668mm9.65mm--ROHS3 Compliant无铅2012不合格0.009Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | 对比 |
![]() | STB85NF55LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | 对比 |
![]() | STB140NF55T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |




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