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STB80NF10T4备选型号: IRF8010STRLPBF
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- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB34.535924gSILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR9915mOhm100V鸥翼245not_compliant80A30STB80N4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET300WDRAIN26 nsN-ChannelSWITCHING15m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA5500pF @ 25V182nC @ 10V80ns±20V60 ns80A3V20V100V100V3 V4.6mm10.4mm9.35mm无SVHCROHS3 Compliant无铅---
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK-12 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR9915mOhm100V鸥翼260-80A30--R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET260WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING15m Ω @ 45A, 10V4V @ 250μA3830pF @ 25V120nC @ 10V130ns±20V120 ns80A4V20V100V100V4 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHCROHS3 Compliant无铅200375A无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB75NF75LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| STB60NF10T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A | 对比 |
| STB76NF80 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 80 V .0095 ohm 80 A STripFET II | 对比 |
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