STMicroelectronics STB76NF80

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

66 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

STripFET™ II

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

9.5mOhm

终端形式

鸥翼

基本部件号

STB76N

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

160nC @ 10V

上升时间

100ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

80A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

80V

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

栅源电压

3 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅