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首页 全部分类 STB80NF55L-08-1 vs IPI80N06S207AKSA2

STB80NF55L-08-1备选型号: IPI80N06S207AKSA2

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 端子位置
  • 配置
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • STMicroelectronics
    STB80NF55L-08-1
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    80A Tc
    175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    STB80N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 40A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4350pF @ 25V
    100nC @ 4.5V
    145ns
    ±16V
    65 ns
    80A
    16V
    55V
    870 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPI80N06S207AKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    16 ns
    N-Channel
    -
    6.6m Ω @ 68A, 10V
    4V @ 180μA
    3400pF @ 25V
    110nC @ 10V
    37ns
    ±20V
    36 ns
    80A
    20V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    2010
    yes
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    55V
    0.0066Ohm
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