STMicroelectronics STB80NF55L-08-1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

85 ns

操作温度

175°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

基本部件号

STB80N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4350pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 4.5V

上升时间

145ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

65 ns

连续放电电流(ID)

80A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

55V

雪崩能量等级（Eas）

870 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant