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首页 全部分类 STB85NF55LT4 vs IRL2505STRLPBF

STB85NF55LT4备选型号: IRL2505STRLPBF

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  • 辐射硬化
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  • 已出版
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  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STB85NF55LT4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 6 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    8mOhm
    Matte Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    55V
    鸥翼
    245
    80A
    30
    STB85N
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 40A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4050pF @ 25V
    110nC @ 5V
    165ns
    ±15V
    55 ns
    80A
    15V
    55V
    980 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL2505STRLPBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 55 V 0.008 Ohm 130 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    104A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    8mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY
    55V
    鸥翼
    260
    104A
    30
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 54A, 10V
    2V @ 250μA
    5000pF @ 25V
    130nC @ 5V
    160ns
    ±16V
    84 ns
    104A
    16V
    55V
    500 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    1998
    SMD/SMT
    2V
    55V
    210 ns
    2 V
    4.699mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
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