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STB8N65M5备选型号: FQB7N65CTM
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
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- 无铅
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- 最小工作温度
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- 额定电流
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
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MOSFET N-CH 650V 7A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON7A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ Ve3活跃1 (Unlimited)2EAR99560mOhmMatte Tin (Sn) - annealedULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼24530STB8N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET70W50 nsN-ChannelSWITCHING600m Ω @ 3.5A, 10V5V @ 250μA690pF @ 100V15nC @ 10V14ns±25V11 ns7A4V25V7A650V28A4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB2-7A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®-Obsolete1 (Unlimited)-----------Single-173W-N-Channel-1.4Ohm @ 3.5A, 10V4V @ 250μA1245pF @ 25V36nC @ 10V50ns±30V55 ns7A4V30V-650V----无SVHC-符合RoHS标准无铅D2PAK (TO-263AB)2006150°C-55°C650V7A650V1.245nF1.4Ohm1.4 Ω- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB8NM60T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK | 对比 |
| FQB5N50CTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series | 对比 |
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